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位置：NTMSD3P303R2 > NTMSD3P303R2详情

NTMSD3P303R2中文资料

NTMSD3P303R2
厂家型号

NTMSD3P303R2
文件大小

128.6Kbytes
页面数量

10页
功能描述

P?묬hannel Enhancement?묺ode Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO?? Package

MOSFET -30V -3.05A
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商

ONSEMI

相近规格书

NTMSD3P303R2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTMSD3P303R2

  • 功能描述

    MOSFET -30V -3.05A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

NTMSD3P303R2供应商...

更新时间：2026-2-11 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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