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NTMSD3P102R2G中文资料

厂家型号

NTMSD3P102R2G

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178.8Kbytes

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9

功能描述

P-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET and Schottky Diode Dual Dual SO-8 Package

MOSFET -20V -3.05A P-Channel

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTMSD3P102R2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTMSD3P102R2G

  • 功能描述

    MOSFET -20V -3.05A P-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-28 12:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
2511
SOIC-8
360000
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ONSEMI/安森美
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