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NTHL020N120SC1_V02中文资料

厂家型号

NTHL020N120SC1_V02

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功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 1200V, M1, TO-247-3L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTHL020N120SC1_V02数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 20 m

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 203 nC)

• Capacitance (Coss = 260 pF)

• 100 UIL Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC−DC Converter

• Boost Inverter

更新时间:2025-12-4 8:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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