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厂家型号	NTHL020N120SC1_V01
文件大小	303.4Kbytes
页面数量	7页
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	ONSEMI

Features

• Typ. RDS(on) = 20 m

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 203 nC)

• Capacitance (Coss = 260 pF)

• 100 UIL Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC−DC Converter

• Boost Inverter

NTHL020N120SC1_V01供应商...

更新时间：2026-3-6 8:31:00

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