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NTD12N10T4G中文资料

NTD12N10T4G
厂家型号

NTD12N10T4G
文件大小

77.77Kbytes
页面数量

8页
功能描述

Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N?묬hannel Enhancement?묺ode DPAK

MOSFET 100V 12A N-Channel
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商

ONSEMI

相近规格书

NTD12N10T4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTD12N10T4G

  • 功能描述

    MOSFET 100V 12A N-Channel

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

NTD12N10T4G供应商...

更新时间：2026-2-12 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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