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NTD12N10-1G中文资料

厂家型号	NTD12N10-1G
文件大小	974.5Kbytes
页面数量	7页
功能描述	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET MOSFET 100V 12A N-Channel
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	VBsemi Electronics Co. Ltd
简称	VBSEMI【微碧半导体】
中文名称	微碧半导体（台湾）有限公司官网
LOGO

相近规格书

NTD12N10-1G产品属性

类型
描述
型号
NTD12N10-1G
功能描述
MOSFET 100V 12A N-Channel
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

NTD12N10-1G供应商...

更新时间：2024-5-2 14:06:00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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VBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司

中文资料: 9545条

微碧半导体创建于2003年春，是一家集MOSFET晶圆开发设计，封装测试，销售服务，技术员支持为一体的国家高新技术企业。我们服务于中高端市场的终端制造商，致力于为贵公司提供高品质的MOS场效应管，使您的公司在当今竞争激烈的市场中取得成功。微碧研发总部位于中国台湾，公司以VBsemi品牌系列产品为核心，积极批量开发，并严格执行ISO9001国际质量标准，拥有10余认证以及多种荣誉称号。