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NSS1C200LT1G中文资料

厂家型号

NSS1C200LT1G

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135.02Kbytes

页面数量

6

功能描述

PNP Transistor

两极晶体管 - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NSS1C200LT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NSS1C200LT1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-6 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
25+
SOT-23
20300
ONSEMI/安森美原装特价NSS1C200LT1G即刻询购立享优惠#长期有货
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NSS1C200LT1G 价格

参考价格:¥0.7713

型号:NSS1C200LT1G 品牌:ONSemi 备注:这里有NSS1C200LT1G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NSS1C200LT1G批发/采购报价,NSS1C200LT1G行情走势销售排排榜,NSS1C200LT1G报价。