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NSS12600CF8T1G中文资料

厂家型号

NSS12600CF8T1G

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106.56Kbytes

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5

功能描述

12 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

两极晶体管 - BJT SBN_BE(MY1) CHPFET 12V

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NSS12600CF8T1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NSS12600CF8T1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT SBN_BE(MY1) CHPFET 12V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-11 16:47:00
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