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NGB8202ANT4G中文资料

厂家型号

NGB8202ANT4G

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124.89Kbytes

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8

功能描述

Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel D2PAK

IGBT 晶体管 IGNITION IGBT 20A 400V

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NGB8202ANT4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NGB8202ANT4G

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 IGNITION IGBT 20A 400V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-13 17:56:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSemicon
NA
8560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
ON
SOT-263
30216
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
ON/安森美
25+
TO263
189000
原装优势公司现货!
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TO263
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NGB8202ANT4G 价格

参考价格:¥5.2391

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