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位置：NDD04N50Z-1G > NDD04N50Z-1G详情

NDD04N50Z-1G中文资料

NDD04N50Z-1G
厂家型号

NDD04N50Z-1G
文件大小

127.75Kbytes
页面数量

9页
功能描述

N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7 

MOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商

ONSEMI

相近规格书

NDD04N50Z-1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NDD04N50Z-1G

  • 功能描述

    MOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

NDD04N50Z-1G供应商...

更新时间：2025-11-1 14:17:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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