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NDD04N50Z-1中文资料
NDD04N50Z-1数据手册规格书PDF详情
FEATURES
·Drain Current -ID= 3.0A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 2.7Ω(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·Motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
NDD04N50Z-1产品属性
- 类型
描述
- 型号
NDD04N50Z-1
- 功能描述
MOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-8-1 14:02:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
2022+ |
TO-251 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
TO-251 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
ON/安森美 |
2022+ |
TO-251 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
ON |
23+ |
TO-251 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
ST/意法 |
23+ |
D2PAKCEN |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
VB |
21+ |
IPAK |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
ON |
21+ |
TO-251 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ON |
23+ |
TO-251 |
100 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ON/安森美 |
22+ |
TO-251 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
