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MMBT3906LT1G中文资料
MMBT3906LT1G数据手册规格书PDF详情
General Purpose Transistor
PNP Silicon
Features
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control
Change Requirements
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
MMBT3906LT1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT3906LT1G
- 功能描述
两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI |
14+ |
9000 |
只做正品,现货随时出 |
||||
ONSEMI |
2018+ |
26976 |
代理原装现货/特价热卖! |
||||
ONSEMI |
21+ |
SOT-23 |
12588 |
原装现货。自己库存 |
|||
ONSEMI |
25+ |
SOT23 |
11058 |
原厂原装,价格优势 |
|||
ONSEMI |
21+ |
标准封装 |
33000 |
进口原装,订货渠道! |
|||
ONSEMI |
NA |
16355 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
ONSEMI |
22+ |
SMD |
9000 |
||||
ONSEMI |
23+ |
NA |
10000 |
全新、原装 |
|||
onsemi |
两年内 |
9000 |
原装正品现货,德为本,正为先,通天下! |
||||
ONSEMI |
24+ |
SMD |
10850 |
原厂全新正品现货供应 |
MMBT3906LT1G 价格
参考价格:¥0.0451
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MMBT3906LT1G相关电子新闻
MMBT3906LT1G
晶体管类型:PNP 电流-集电极(Ic)(最大值):200mA 电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic时的?Vce饱和值(最大值):400mV@5mA,50mA 不同?Ic,Vce?时的DC电流增益(hFE)(最小值):100@10mA,1V 功率-最大值:300mW 频率-跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59
2020-9-3
MMBT3906LT1G 芯片相关型号
Datasheet数据表PDF页码索引
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