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MMBT3906LT1G中文资料

厂家型号

MMBT3906LT1G

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140.01Kbytes

页面数量

7

功能描述

General Purpose Transistor

两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP

数据手册

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生产厂商

ON Semiconductor

简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

LOGO

MMBT3906LT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBT3906LT1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2024-4-29 15:41:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI
14+
9000
只做正品,现货随时出
ONSEMI
2018+
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代理原装现货/特价热卖!
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SOT-23
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SOT23
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原厂原装,价格优势!13246658303
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9000
Onsemi
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本公司只做进口原装!优势低价出售!
ONSEMI
23+
NA
10000
全新、原装

MMBT3906LT1G 价格

参考价格:¥0.0451

型号:MMBT3906LT1G 品牌:ON 备注:这里有MMBT3906LT1G多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,MMBT3906LT1G批发/采购报价,MMBT3906LT1G行情走势销售排排榜,MMBT3906LT1G报价。

MMBT3906LT1G相关电子新闻

  • MMBT3906LT1G

    晶体管类型:PNP 电流-集电极(Ic)(最大值):200mA 电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic时的?Vce饱和值(最大值):400mV@5mA,50mA 不同?Ic,Vce?时的DC电流增益(hFE)(最小值):100@10mA,1V 功率-最大值:300mW 频率-跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59

    2020-9-3

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ON Semiconductor 安森美半导体公司

中文资料: 101483条

ON半导体公司是世界最大模拟IC、逻辑IC和分立半导体元件供应商之一。主要生产宽带数据应用IC、 电源管理模拟IC、低压功率晶体管等。公司总部位于美国亚利桑那州,制造厂分布在亚利桑那州、罗 得岛州、墨西哥、斯洛伐克、捷克、法国图卢兹市、日本、菲律宾、马来西亚的芙蓉市和中国乐山 市。拥有遍布全球的销售网。目前共有员工约14000人,其中美国有2700人。 最近,ON半导体公司完成了对Cherry公司的半导体子公司的收购,收购包括Cherry Semiconductor的所有资产和业务部门,今后,CherrySemiconductor是ON半导体公司模拟分部下属 的电源管理部门的基本组成部分。