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厂家型号	MMBT3906LT1G
文件大小	126.5Kbytes
页面数量	7页
功能描述	General Purpose Transistor 两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	ONSEMI

General Purpose Transistor

PNP Silicon

Features

•Pb-Free Packages are Available

MMBT3906LT1G供应商...

更新时间：2026-2-3 19:30:00

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参考价格：￥0.0451

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MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：400mV @ 5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值：300mW 频率 - 跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3