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MMBT3906LT1G中文资料

厂家型号

MMBT3906LT1G

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7

功能描述

General Purpose Transistor

两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

MMBT3906LT1G数据手册规格书PDF详情

General Purpose Transistor

PNP Silicon

Features

•Pb-Free Packages are Available

MMBT3906LT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBT3906LT1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-9 18:51:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
25+
SOT-23
32000
ONSEMI/安森美全新特价MMBT3906LT1G即刻询购立享优惠#长期有货
ONSEMI
14+
9000
只做正品,现货随时出
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25+
SOT23
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21+
标准封装
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22+
SMD
9000
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ONSEMI
23+
NA
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全新、原装
ONSEMI
24+
SMD
10850
原厂全新正品现货供应
onsemi
23+
9000
原装正品现货,德为本,正为先,通天下!

MMBT3906LT1G 价格

参考价格:¥0.0451

型号:MMBT3906LT1G 品牌:ON 备注:这里有MMBT3906LT1G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,MMBT3906LT1G批发/采购报价,MMBT3906LT1G行情走势销售排排榜,MMBT3906LT1G报价。

MMBT3906LT1G相关电子新闻

  • MMBT3906LT1G

    晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59

    2020-9-3