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MJD112T4G中文资料

厂家型号

MJD112T4G

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8

功能描述

Complementary Darlington Power Transistors

达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

MJD112T4G数据手册规格书PDF详情

Complementary Darlington Power Transistors

DPAK For Surface Mount Applications

Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.

Features

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“−1” Suffix)

• Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series

• Pb−Free Packages are Available

MJD112T4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD112T4G

  • 功能描述

    达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-11-27 9:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
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MJD112T4G 价格

参考价格:¥1.0701

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