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FDD3510H中文资料

厂家型号

FDD3510H

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492.11Kbytes

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10

功能描述

Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET N-Channel: 80V, 13.9A, 80mΩ P-Channel: -80V, -9.4A, 190mΩ

MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

FDD3510H数据手册规格书PDF详情

Features

Q1: N-Channel

Max rDS(on) = 80mΩ at VGS = 10V, ID = 4.3A

Max rDS(on) = 88mΩ at VGS = 6V, ID = 4.1A

Q2: P-Channel

Max rDS(on) = 190mΩ at VGS = -10V, ID = -2.8A

Max rDS(on) = 224mΩ at VGS = -4.5V, ID = -2.6A

100% UIL Tested

RoHS Compliant

General Description

These dual N and P- Channel enhancement mode Power MOSFETs are produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize on -state resistance and yet maintain superior switching performance.

Applications

Inverter

H-Bridge

FDD3510H产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDD3510H

  • 功能描述

    MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-28 15:52:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI
25+
DPAK4
18798
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
onsemi
25+
TO-252-5 DPak(4 引线 + 接片
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
ONSEMI
25+
DPAK4
18798
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
FAIRCHILD
19+
TO-252
18985
原装
25+
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20300
原装特价FDD3510H即刻询购立享优惠#长期有货
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24+
TO252
7850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
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25+
TO-252
8800
公司只做原装,详情来电咨询
FAIRCHILD
24+
TO-252
5000
全新原装正品,现货销售
ON/安森美
24+
TO252
60000
FAIRCHILD/仙童
24+
TO252
25540
郑重承诺只做原装进口现货

FDD3510H 价格

参考价格:¥2.4522

型号:FDD3510H 品牌:Fairchild 备注:这里有FDD3510H多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FDD3510H批发/采购报价,FDD3510H行情走势销售排排榜,FDD3510H报价。