| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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OPB1204 | Silicon Photo Transistor Structure 1.1 Chip Size : 1.2mm X 0.45mm 1.2 Chip thickness : 230±20um 1.3 Metallization : Top - Al(2um), Bottom - Au 1.4 Back Metal : Au(1,000Å ) 1.5 Passivation : Silicon Nitride 1.6 Bonding Pad Size - Emitter : 130um - Base : 60um X 60um | KODENSHI 可天士 |   | |
OPB1204 | Silicon Photo Transistor | AUK | | |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs??? Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. | SUTEX | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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