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OPB1204

Silicon Photo Transistor

Structure 1.1 Chip Size : 1.2mm X 0.45mm 1.2 Chip thickness : 230±20um 1.3 Metallization : Top - Al(2um), Bottom - Au 1.4 Back Metal : Au(1,000Å ) 1.5 Passivation : Silicon Nitride 1.6 Bonding Pad Size - Emitter : 130um - Base : 60um X 60um

KODENSHI

可天士

OPB1204

Silicon Photo Transistor

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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs???

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更新时间:2026-8-3 16:49:00
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