| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 4807 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features VDS = -30V,ID = - 6.0A RDS(ON) | TUOFENG 拓锋半导体 |   | ||
HIGH POWER SERIES 文件：235.3 Kbytes Page：1 Pages | ASSUN | | ||
HIGH POWER SERIES 文件：340.72 Kbytes Page：1 Pages | ASSUN | | ||
METAL BRUSH 文件：219.05 Kbytes Page：1 Pages | ASSUN | | ||
100/1000 Base T Gigabit Dual Port Transformer 文件：417.25 Kbytes Page：1 Pages | ALLIED | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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