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PBSS5112PAP中文资料

厂家型号

PBSS5112PAP

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254Kbytes

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17

功能描述

120 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor

两极晶体管 - BJT 120V 1A PNP/PNP lo VCEsat transistor

数据手册

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生产厂商

恩XP

PBSS5112PAP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PBSS5112PAP

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 120V 1A PNP/PNP lo VCEsat transistor

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-12-8 23:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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PBSS5112PAP,115 价格

参考价格:¥1.1497

型号:PBSS5112PAP,115 品牌:NXP 备注:这里有PBSS5112PAP多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,PBSS5112PAP批发/采购报价,PBSS5112PAP行情走势销售排排榜,PBSS5112PAP报价。