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MRFG35010AR1中文资料

厂家型号

MRFG35010AR1

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18

功能描述

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF

数据手册

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生产厂商

恩XP

MRFG35010AR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRFG35010AR1

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

更新时间:2025-10-9 9:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
22+
NI360HF
9000
原厂渠道,现货配单
恩XP
25+
NI-360HF
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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1505+
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5500
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NI-360HF
1500
原装现货假一罚十
Freescale
24+
SMD
5500
长期供应原装现货实单可谈
FREESCALE
24+
199
现货供应
MOTOROLA/摩托罗拉
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势