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BLF6G22-180PN中文资料

厂家型号

BLF6G22-180PN

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91.73Kbytes

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11

功能描述

Power LDMOS transistor

射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS

数据手册

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生产厂商

恩XP

BLF6G22-180PN数据手册规格书PDF详情

General description

180 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 2000 MHz to 2200 MHz.

Features

■ Typical 2-carrier W-CDMA performance at frequencies of 2110 MHz and 2170 MHz, a supply voltage of 32 V and an IDq of 1600 mA:

♦ Average output power = 50 W

♦ Power gain = 17.5 dB (typ)

♦ Efficiency = 27.5

♦ ACPR = −35 dBc

■ Easy power control

■ Integrated ESD protection

■ Excellent ruggedness

■ High efficiency

■ Excellent thermal stability

■ Designed for broadband operation (2000 MHz to 2200 MHz)

■ Internally matched for ease of use

■ Qualified up to a supply voltage of 32 V

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ RF power amplifiers for W-CDMA base stations and multicarrier applications in the 2000 MHz to 2200 MHz frequency range

BLF6G22-180PN产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BLF6G22-180PN

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-10-14 19:26:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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