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MJE18006中文资料

MJE18006
厂家型号

MJE18006
文件大小

87.23Kbytes
页面数量

2页
功能描述

Silicon NPN Power Transistor

两极晶体管 - BJT 6A 450V 100W NPN
数据手册

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简称

NJSEMI【新泽西半导体】

生产厂商

New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
中文名称

新泽西半导体公司官网

相近规格书

MJE18006数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• Collector-Base Breakdown Voltage-

:V(BR)CBO=1000V(Min)

• High Switching Speed

APPLICATIONS

• Designed for use in 220V line-operated switchmode power

supplies and electronic light ballasts

MJE18006产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJE18006

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 6A 450V 100W NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MJE18006供应商...

更新时间：2026-2-10 15:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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