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BDT60中文资料
BDT60产品属性
- 类型
描述
- 型号
BDT60
- 功能描述
达林顿晶体管 50W 4A PNP
- RoHS
否
- 制造商
Texas Instruments
- 配置
Octal
- 晶体管极性
NPN 集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
集电极—基极电压
- 最大直流电集电极电流
0.5 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-18
- 封装
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
isc |
2024 |
TO-220 |
4750 |
国产品牌isc,可替代原装 |
|||
TO-220 |
10000 |
全新 |
|||||
BOURNS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
BDT60 |
25 |
25 |
|||||
N/A |
23+ |
SMD |
5177 |
现货 |
|||
PHI |
05+ |
原厂原装 |
1001 |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
ST |
17+ |
TO-220 |
6200 |
||||
PHI |
1738+ |
TO-220F |
8529 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
|||
NXP |
23+ |
TO-220F |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
23+ |
N/A |
85600 |
正品授权货源可靠 |
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- MUR414
- MUR428
- MUR550
- MUR634CT
- MUR825M2
- MUR835
- MUR842M2
- MUR848
- NDM2Z-25HT-B-000
- PDM1-S12-D24-S
- PDM1-S12-S15-S
- PDS1-S15-S15-S
- PDS1-S3-S3-D
- PDS2-S12-S5-M
- PK25-D12-S15
- PK25-D12-S3.3
- PK25-D24-D5
- PQA50-D48-S3-D
- PQD6-Q48-S15-D
- PQM1-S12-S15-M
- VEFT1-S24-S9-SMT
- VFB600-D24-S28
- VHD1-S5-S12-DIP
- VOF-30-18
BDT60 晶体管资料
BDT60别名：BDT60三极管、BDT60晶体管、BDT60晶体三极管
BDT60生产厂家：英国Mullard有限公司
BDT60制作材料：Si-P+Darl+Di
BDT60性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
BDT60封装形式：直插封装
BDT60极限工作电压：60V
BDT60最大电流允许值：4A
BDT60最大工作频率：>10MHZ
BDT60引脚数：3
BDT60最大耗散功率：50W
BDT60放大倍数：β>750
BDT60图片代号：B-89
BDT60vtest：60
BDT60htest：10000100
- BDT60atest：4
BDT60wtest：50
BDT60代换 BDT60用什么型号代替：BD716,BDW24A,BDW54A,BDW64A,TIP115,6035Y,
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- P80
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 21927条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
