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PHD38N02LT中文资料

厂家型号

PHD38N02LT

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206.38Kbytes

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13

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

两极晶体管 - BJT TAPE13 MOSFET

数据手册

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生产厂商

NEXPERIA

PHD38N02LT数据手册规格书PDF详情

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology.

1.2 Features

1.3 Applications

n Linear regulator for Double-Data Rate (DDR) memory

n Low on-state resistance n 2.5 V gate drive

PHD38N02LT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHD38N02LT

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT TAPE13 MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-2-2 19:45:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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恩XP
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DPAK
31518
原装正品 可含税交易

PHD38N02LT,118 价格

参考价格:¥1.8903

型号:PHD38N02LT,118 品牌:NXP Semiconductors 备注:这里有PHD38N02LT多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,PHD38N02LT批发/采购报价,PHD38N02LT行情走势销售排排榜,PHD38N02LT报价。