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位置：PHD37N06LT > PHD37N06LT详情

PHD37N06LT中文资料

PHD37N06LT
厂家型号

PHD37N06LT
文件大小

896.95Kbytes
页面数量

6页
功能描述

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

MOSFET TAPE13 PWR-MOS
数据手册

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生产厂商

VBSEMI

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PHD37N06LT数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• TrenchFET® Power MOSFET

• 175 °C Junction Temperature

PHD37N06LT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHD37N06LT

  • 功能描述

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

PHD37N06LT供应商...

更新时间：2025-11-29 13:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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