MDmesh? DM6 650 V MOSFET 系列
STMicroelectronics 的高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分
STMicroelectronics 的 MDmesh? DM6 650 V MOSFET 系列图片STMicroelectronics MDmesh DM6 650 V MOSFET 系列结合了优化的电容曲线和寿命终止过程，从而实现了低栅极电荷 (QG）、极低恢复电荷 (Q rr）、短恢复时间 (trr) 以及更佳的单位面积 RDS(ON)。MDmesh DM6 MOSFET 系列是当今全桥和半桥拓扑的参考。
特性
快速恢复体二极管
相比前几代，单位面积 RDS(ON) 更小
低栅极电荷、输入电容和电阻
100%_通过雪崩测试
极高 dv/dt 稳健性
齐纳保护
应用
开关应用
