GSOT05C-GS08 Vishay Diode TVS Single Bi-Dir 5V 612W 3-Pin SOT-23
GSOT05C-GS08产品详细规格
标准包装 3，000
电压 - 反向隔离（典型值） 5V
- 击穿电压 6V
功率（瓦特） 480W
极化 2 Channel Array - Unidirectional
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
类型 TVS
引脚数 3
方向类型 Bi-Directional
最大钳位电压 16 V
每个芯片的元件数 1
ESD保护电压 ±30@Air Gap/±30@Contact Disc kV
最大工作电压 5(Min) V
最大泄漏电流 10 uA
电容值 350 pF
最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 125 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Cut Tape
标准包装 Tape & Reel
最大钳位电压 16
包装宽度 1.43(Max)
PCB 3
最大泄漏电流 10
欧盟RoHS指令 Compliant
电容值 350
最低工作温度 -40
配置 Single
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最大ESD保护电压 ±30@Air Gap/±30@Contact Disc
最高工作温度 125
最大工作电压 5(Min)
包装长度 3.1(Max)
包装高度 1.05(Max)
封装 Tape and_Reel
铅形状 Gull-wing
匹配代码 GSOT05C-GS08
夹紧VOLTAG 11.1V
包装 SOT23
单位包 3000
标准的提前期 15 weeks
最小起订量 15000
待机关闭V VWM 5V
应用 BIDIRECTIO
无铅Defin RoHS-conform
PowerDissipati 0.3kW
汽车 AEC-Q(101)
容差 5%_
击穿- V（BR ） 6V
通道 2 Channels
钳位电压 8.7 V
产品种类 TVS Diodes - Transient Voltage Suppressors
工厂包装数量 15000
系列 GSOT03C-36C
端接类型 SMD/SMT
安装风格 SMD/SMT
电容 260 pF
击穿电压 6 V
工作电压 5 V (Min)
封装/外壳 SOT-23
RoHS RoHS Compliant
TVS Polarity :Bidirectional
Reverse Stand-Off Voltage Vrwm :5V
Breakdown Voltage Min :27.5V
Breakdown Voltage Max :30.7V
Clamping Voltage Vc Max :16V
Peak Pulse Current Ippm :30A
Diode Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
Breakdown Voltage Range :27.5V to 30.7V
二极管配置 :Bidirectional
二极管类型 :ESD Protection
Peak Pulse Power :480W
Stand-off Voltage :5V
端接类型 :SMD
Weight (kg) 0.0001
Tariff No. 85411000
associated PESD5V0S2UAT
据台媒《财讯》报道，前尔必达社长坂本幸雄出任紫光集团高级副总裁兼日本分公司CEO，当中牵线搭桥者，正是长江存储董事长高启全。
近日，坂本幸雄在接受日本《钻石周刊》的专访中表示，与高启全原本就是旧识，三年前，高启全曾邀请他一起到紫光集团来做NAND，但坂本幸雄心中仍对DRAM存有执念，因此婉拒了高启全。
今年以来，高启全又两度邀请坂本幸雄一起来做DRAM，原本他以为自己70多岁高龄会导致体力跟不上，但由于两年前开始学习剑道的步调，觉得自己应该还能继续工作两三年。所以，高启全9月再去日本时，只花了30分钟就请动了坂本幸雄，因为DRAM对他的吸引力实在是太大了。
日前，坂本幸雄在接受采访时表示，紫光的目标是5年内量产DRAM内存，自己的工作就是协助公司达成目标，为此紫光要在日本神奈川县川崎设立“开发中心”，预计会招聘70-100位工程师，与中国境内的制程工艺团队配合，花2-3年构建出可以量产的内存技术。
关于招聘人才，坂本幸雄表示，应该会来自像瑞萨电子那样的日本半导体厂商、或在台湾企业服务但对现状不满的人。他强调，很多工程师很优秀又有工作意愿，但受限于公司的分工策略，只能做被细分后的工作，缺乏自由度。
坂本幸雄进一步指出，要做出好的DRAM，设计者必须从产品整体考量，因此企业必须让他们自由发挥，而紫光不仅待遇好，应该还能提供一个让他们觉得有趣的工作环境。
紫光集团的DRAM事业群成立于今年6月，由曾任工信部电子信息司司长的刁石京出任董事长，CEO则由高启全担任。8月27日，紫光集团宣布与重庆市政府签署合作协议，并在重庆投资DRAM研发中心与工厂，厂房预定2019年底动工，并于2021年完工。
另外，有消息人士透露，紫光集团内部已计划将在未来十年内投资8000亿元人民币，以加快DRAM量产。
有了坂本幸雄的重磅加入，紫光集团的DRAM布局有望进一步增速。据了解，坂本幸雄在DRAM领域具有30余年的从业经验，在技术以及战略发展上拥有优秀的领导力。坂本幸雄先生曾任日本德州仪器副社长、神户制钢电子信息科半导体部门总监理、联日半导体社长兼代表董事，及尔必达存储社长、代表董事兼CEO。
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三星再次陷入关闭工厂的传闻。有消息称，最快9月，三星将关闭在中国的最后一家手机工厂，目前该公司已在做最后的清算工作，工厂从今年5月就开始跟工人沟通关闭消息，预计今年9月，整个工厂将会完全关闭。北京商报记者就此联系到三星中国方面，但截至发稿，对方未做出回复。
关于三星关闭中国工厂的传闻，今年以来有过多次报道，但都没有获得三星方面的确认。6月初，就有报道称，三星电子正在削减其仅存一家在华智能手机工厂——广东省惠州市的工厂的产量并裁员。如果传闻属实，那么这家工厂已不是三星在中国关闭的第一家工厂。早在2018年12月31日，建立18年的天津三星手机制造工厂(三星天津通信)就被停产关闭。2010年，三星产销手机2亿多部，其中六成以上在中国生产，而天津工厂产量最多。
据悉，三星近年来正逐步将手机制造转向印度及越南，其中越南承接的智能手机制造业务是最多的，截至去年4月，三星在越南的投资总额高达173亿美元，在当地建设了8个制造工厂，主要生产智能手机、电子零件等。
不过，在关闭工厂的同时，三星似乎还在新建工厂。有消息称，三星正在加快建设车用MLCC工厂(多层陶瓷电容器)、动力电池生产线等新项目，新增高端制造方面的投资达24亿美元(约合人民币162.6亿元)。目前，天津区域内聚集了10家三星系企业，累计投资超过58亿美元(约合人民币393亿元)，占三星在华总投资近1/5。
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东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，“TLP3407SR”开始出货。这是一款新型电压驱动光继电器，有助于降低功耗，并且实现了业界最小的[1]安装面积。
TLP3407SR在输入电压时的最大LED限制电流为1mA，相当于此前推出的“TLP3407SRH”的三分之一左右。这款新型光继电器能将最大输入功耗降至3.3mW[2]，有助于降低探针卡、自动半导体测试装置(ATE)、半导体测试仪和相关应用板的功耗。
在输入电压为5V乃至更高的高压情况下，可通过添加串联外部电阻来驱动新型光继电器，这允许设计的最大触发LED参考电流为0.2mA。这种方法能降低测试仪电路的输入电流。
TLP3407SR采用小型S-VSON4T[3]封装，所需安装面积为2.9mm2，与现有的VSONR4[4]封装相比，封装尺寸缩小近27%，成为业界最小封装[1]。该小型封装可支持探针卡等设备减小尺寸，也能安装更多的光继电器。
? 应用：
探针卡
自动半导体测试装置(ATE)
逻辑与内存测试仪等
检测仪器(示波器、数据记录器等)
? 特性：
低输入功耗：3.3V电压时功耗为3.3mW(最大值)，ILIM(LED)=1mA(最大值)
业界最小的[1]安装面积：2.9 mm2(典型值)
控制信号采用两种输入电压：DC3.3V(典型值)和DC5V(典型值)
