GSOT03C-GS08 Vishay ESD Suppressor TVS ±30KV 3-Pin SOT-23
GSOT03C-GS08产品详细规格
标准包装 3，000
电压 - 反向隔离（典型值） 3.3V
- 击穿电压 4V
功率（瓦特） 369W
极化 2 Channel Array - Unidirectional
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
类型 TVS
引脚数 3
方向类型 Bi-Directional
最大钳位电压 12.3 V
每个芯片的元件数 1
ESD保护电压 ±30@Air Gap/±30@Contact Disc kV
最大工作电压 3.3(Min) V
最大泄漏电流 100 uA
电容值 600 pF
最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 125 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大钳位电压 12.3
包装宽度 1.43(Max)
PCB 3
最大泄漏电流 100
欧盟RoHS指令 Compliant
电容值 600
最低工作温度 -40
配置 Single
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最大ESD保护电压 ±30@Air Gap/±30@Contact Disc
最高工作温度 125
最大工作电压 3.3(Min)
包装长度 3.1(Max)
包装高度 1.05(Max)
封装 Tape and_Reel
铅形状 Gull-wing
匹配代码 GSOT03C-GS08
夹紧VOLTAG 10V
包装 SOT23
单位包 3000
标准的提前期 15 weeks
最小起订量 15000
待机关闭V VWM 3.3V
应用 BIDIRECTIO
无铅Defin RoHS-conform
PowerDissipati 0.3kW
汽车 AEC-Q(101)
容差 5%_
击穿- V（BR ） 4V
通道 2 Channels
钳位电压 7.5 V
产品种类 TVS Diodes - Transient Voltage Suppressors
工厂包装数量 15000
系列 GSOT03C-36C
端接类型 SMD/SMT
单位重量 0.000353 oz
安装风格 SMD/SMT
电容 420 pF
击穿电压 4 V
工作电压 3.3 V (Min)
封装/外壳 SOT-23
RoHS RoHS Compliant
TVS Polarity :Bidirectional
Reverse Stand-Off Voltage Vrwm :24.5V
Breakdown Voltage Min :27.5V
Breakdown Voltage Max :30.7V
Clamping Voltage Vc Max :12.3V
Peak Pulse Current Ippm :30A
Diode Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
Breakdown Voltage Range :27.5V to 30.7V
二极管配置 :Bidirectional
二极管类型 :ESD Protection
Peak Pulse Power :369W
Stand-off Voltage :3.3V
端接类型 :SMD
Weight (kg) 0.0001
Tariff No. 85363010
associated PESD3V3S2UT
据台媒《财讯》报道，前尔必达社长坂本幸雄出任紫光集团高级副总裁兼日本分公司CEO，当中牵线搭桥者，正是长江存储董事长高启全。
近日，坂本幸雄在接受日本《钻石周刊》的专访中表示，与高启全原本就是旧识，三年前，高启全曾邀请他一起到紫光集团来做NAND，但坂本幸雄心中仍对DRAM存有执念，因此婉拒了高启全。
今年以来，高启全又两度邀请坂本幸雄一起来做DRAM，原本他以为自己70多岁高龄会导致体力跟不上，但由于两年前开始学习剑道的步调，觉得自己应该还能继续工作两三年。所以，高启全9月再去日本时，只花了30分钟就请动了坂本幸雄，因为DRAM对他的吸引力实在是太大了。
日前，坂本幸雄在接受采访时表示，紫光的目标是5年内量产DRAM内存，自己的工作就是协助公司达成目标，为此紫光要在日本神奈川县川崎设立“开发中心”，预计会招聘70-100位工程师，与中国境内的制程工艺团队配合，花2-3年构建出可以量产的内存技术。
关于招聘人才，坂本幸雄表示，应该会来自像瑞萨电子那样的日本半导体厂商、或在台湾企业服务但对现状不满的人。他强调，很多工程师很优秀又有工作意愿，但受限于公司的分工策略，只能做被细分后的工作，缺乏自由度。
坂本幸雄进一步指出，要做出好的DRAM，设计者必须从产品整体考量，因此企业必须让他们自由发挥，而紫光不仅待遇好，应该还能提供一个让他们觉得有趣的工作环境。
紫光集团的DRAM事业群成立于今年6月，由曾任工信部电子信息司司长的刁石京出任董事长，CEO则由高启全担任。8月27日，紫光集团宣布与重庆市政府签署合作协议，并在重庆投资DRAM研发中心与工厂，厂房预定2019年底动工，并于2021年完工。
另外，有消息人士透露，紫光集团内部已计划将在未来十年内投资8000亿元人民币，以加快DRAM量产。
有了坂本幸雄的重磅加入，紫光集团的DRAM布局有望进一步增速。据了解，坂本幸雄在DRAM领域具有30余年的从业经验，在技术以及战略发展上拥有优秀的领导力。坂本幸雄先生曾任日本德州仪器副社长、神户制钢电子信息科半导体部门总监理、联日半导体社长兼代表董事，及尔必达存储社长、代表董事兼CEO。
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三星再次陷入关闭工厂的传闻。有消息称，最快9月，三星将关闭在中国的最后一家手机工厂，目前该公司已在做最后的清算工作，工厂从今年5月就开始跟工人沟通关闭消息，预计今年9月，整个工厂将会完全关闭。北京商报记者就此联系到三星中国方面，但截至发稿，对方未做出回复。
关于三星关闭中国工厂的传闻，今年以来有过多次报道，但都没有获得三星方面的确认。6月初，就有报道称，三星电子正在削减其仅存一家在华智能手机工厂——广东省惠州市的工厂的产量并裁员。如果传闻属实，那么这家工厂已不是三星在中国关闭的第一家工厂。早在2018年12月31日，建立18年的天津三星手机制造工厂(三星天津通信)就被停产关闭。2010年，三星产销手机2亿多部，其中六成以上在中国生产，而天津工厂产量最多。
据悉，三星近年来正逐步将手机制造转向印度及越南，其中越南承接的智能手机制造业务是最多的，截至去年4月，三星在越南的投资总额高达173亿美元，在当地建设了8个制造工厂，主要生产智能手机、电子零件等。
不过，在关闭工厂的同时，三星似乎还在新建工厂。有消息称，三星正在加快建设车用MLCC工厂(多层陶瓷电容器)、动力电池生产线等新项目，新增高端制造方面的投资达24亿美元(约合人民币162.6亿元)。目前，天津区域内聚集了10家三星系企业，累计投资超过58亿美元(约合人民币393亿元)，占三星在华总投资近1/5。
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在9月25日举行的云栖大会上，新思科技中国董事长兼全球副总裁葛群表示，从目前的发展情况来看，芯片设计将会面临巨大的挑战。
尤其是在7nm之后，所面临的挑战将会更加艰巨，所需要的新材料，器械，工艺和光刻技术都需要重新探索，各大厂商想要解决这一问题都需要投入大量的时间和成本。
如何解决这一问题呢?
葛群表示，目前新思科技正致力于通过合作优化设计技术，通过搭建平台，让不同的厂商加深合作，进行融合，从而加速设计。
与此同时，葛群还指出，除了工艺演进所带来的新的设计挑战之外，芯片设计还面临着设计规模增加会提升对IT基础设施的要求，追求芯片性能的需要驱动各种新的方法学以及高昂的芯片设计和生产费用要求一次性流片成功三大挑战。
在葛群看来，除了合作之外，实现设计工具的云端化，通过灵活可拓展的云服务将能够为设计公司提供无可比拟的拓展性和灵活性。
可以说，设计工具的云端化，不仅仅能够让按需分配资源成为现实，最终实现成本优化，也能够保障跨部门，跨行业及跨地域的紧密合作，降低设计的成本，加速芯片的设计。
最后，在会议上，平头哥和与新思科技联合发布了芯片上云白皮书。
