时间：2019-10-21 16:38:00
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 2.15 V
在25 C的连续集电极电流: 580 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 2 kW
封装 / 箱体: 62 mm
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 30.9 mm
长度: 106.4 mm
技术: Si
宽度: 61.4 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |   | ||
62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | ||
62mm C-series module with common emitter | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | ||
62mm C-Serien Modul mit gemeinsamen Emitter | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | ||
62mm C-Serien Modul mit gemeinsamen Emitter | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | ||
62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled HE Diode und bereits | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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