制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 2.15 V
在25 C的连续集电极电流: 580 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 2 kW
封装 / 箱体: 62 mm
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 30.9 mm
长度: 106.4 mm
技术: Si
宽度: 61.4 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
