制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.15 V
在25 C的连续集电极电流: 105 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 355 W
封装 / 箱体: Econo 3
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 122 mm
技术: Si
宽度: 62 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FP75R12KT3BOSA1 SP000100443
单位重量: 300 g
BC41C671A-IPK-E4
MAX8686ETL+
TPS54202DDCR
CY8C4247AZI-M485
MAX31856MUD+
CY8CMBR3102-SX1IT
ADG1408YCPZ-REEL7
MAX2837ETM+
VND7NV04TR-E
MAX3421EETJ+
DRV8850RGYR
MAX17574ATG+
ADM2481BRWZ
OMAP3530ECUSA
MAX17205G+T
B-3067
CY8C4014LQI-421
CY8C4014SXI-421
IRFM350
IRFM360
TPS53659RSBR
TPS61093DSKR
TUSB1105RGTR
SN65LVDS108DBTR
CDCP1803RGER
FM28V020-SGTR
SM9989DSQAC-TRG
MAX8686ETL+T
TIP122
NJG1130KA1
LTC6416IDDB
PE-52627NL
NJM2762RB2
BSC018NE2LS
ADG1408YCPZ-REEL7
