SI2304DDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23
SI2304DDS-T1-GE3产品详细规格
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 3.3A
Rds（最大）@ ID，VGS 60 mOhm @ 3.2A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 2.2V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 6.7nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 235pF @ 15V
功率 - 最大 1.7W
安装类型 *_
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 3.3 A
RDS -于 60@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 12 ns
典型上升时间 50 ns
典型下降时间 22 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 1100
最大漏源电压 30
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 60@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 3.04(Max)
引脚数 3
包装高度 1.02(Max)
最大连续漏极电流 3.3
封装 Tape and_Reel
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 3.3A (Ta)， 3.6A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 2.2V @ 250μA
漏极至源极电压（Vdss） 30V
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 60 mOhm @ 3.2A， 10V
FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 1.7W
输入电容（Ciss ） @ VDS 235pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS 6.7nC @ 10V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2304DDS-T1-GE3CT
连续漏极电流 3.3 A
栅源电压（最大值） ?20 V
功率耗散 1.1 W
漏源导通电阻 0.06 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-23
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 30 V
弧度硬化 No
删除 Compliant
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :3.6A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :0.049ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :2.2V
功耗 :1.1W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :-
Current Id Max :3.3A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
AD8505ARJZ AD8532ARZ-REEL7 AD8534ARZ-REEL AD8541ARTZ-REEL7 AD8542ARZ-REEL7 AD8544ARUZ AD8544ARZ AD8613AUJZ AD8617ARZ-REEL7 AD8692ARZ-REEL7 AD8694ARZ-REEL7 ADA4505-1ARJZ
9月23日5时10分，在西昌卫星发射中心，我国以“一箭双星”方式成功发射第47、48颗北斗导航卫星。
据中新网报道，这次发射正式拉开了北斗三号从基本系统向完整系统大步迈进的高密度发射序幕。
近年来，无论是北斗系统还是北斗产业链的建设都取得了一些成绩。
据中新网报道，经过数年努力，长期依靠进口的行波管放大器组件、微波开关、大功率电源控制器、动量轮组件、星敏感器等关键产品，已实现主、备份全部国产化。北斗三号卫星部件国产化率达到100%。
以行波管放大器为例，它是通信卫星的关键元器件，我国曾长期依赖进口。而2014年我国正在进行北斗三号试验卫星研制时，供应方突然通知由于政府原因停止供货。不过，北斗团队早已认识到国产化对于北斗系统建设和稳定运行的重要性，在北斗三号系统建设启动的同时，中国航天科技集团五院就联合国内多家单位，开展了行波管放大器等关键元器件国产化的技术攻关。而在供应方得知我国行波管放大器技术攻关已经取得了突破，北斗团队决定用国货替代进口产品后，急忙表示可以供货，并把价格降低了一半。
在北斗产业链方面，2017年2月28日，我国首个自主研制的“米级快速定位北斗芯片”正式推出，实现了基础产品的自主可控并达到国际先进水平;2018年12月27日，中国卫星导航系统管理办公室主任冉承其透露，全世界绝大部分的智能手机都已经采用了支持北斗的芯片，北斗系统已进入3GPP国际移动通信组织。
十年来，我国自主研发的北斗芯片工艺从90nm到28nm，尺寸不断缩小，性能不断提升，并具备在全球范围展开竞争的实力和底气。
在今年5月举办的第十届中国卫星导航年会上，一组关于北斗产业链的数字发布。据悉，国产北斗芯片、模块等关键技术全面突破，性能指标与国际同类产品相当。支持北斗三号新信号的，28nm工艺射频基带一体化SoC芯片，已在物联网和消费电子领域得到广泛应用。最新的22nm工艺双频定位芯片已具备市场化应用条件，全频一体化高精度芯片正在研发，北斗芯片性能将再上一个台阶。国产北斗导航型芯片模块累计销量已突破8000万片，高精度板卡和天线销量已占据国内30%和90%的市场份额，并输出到100余个国家和地区。
此外，2018年国内卫星导航产业产值已超过3000亿元;预计至2020年，我国卫星导航产业的规模将超过4000亿元，北斗将拉动超过3000亿元规模的市场份额。
近年来，随着互联网+、5G、人工智能等新兴技术和产业模式的兴起，在与卫星导航技术融合后，催生出了精细农业、精准物流、自动驾驶、智能交通、智慧城市等经济发展新模式和产业发展新业态。
香港鑫锐电子有限公司，18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ，一站式终端厂家配套：(质量保证 诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。
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