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SI3457BDV-T1-GE3

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch

VBSEMI

微碧半导体

SI3457BDV-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI3457BDV-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 5.0A 2.0W 54mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-10 16:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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24+
SOT23-6
7800
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
VISHAY/威世
2019+
SOT-163
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原厂渠道 可含税出货
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60000
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VBsemi(台湾微碧)
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