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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 4.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 130 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 27 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 71 ns
正向跨导 - 最小值: 6.6 S
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFETs
上升时间: 21 ns
工厂包装数量: 4000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 97 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
宽度: 3.9 mm
单位重量: 540 mg
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