IQE050N08NM5SCATMA1

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制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: WHSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 16 A

Rds On-漏源导通电阻: 5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.8 V

Qg-栅极电荷: 44 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

商标: Infineon Technologies

下降时间: 4 ns

正向跨导 - 最小值: 50 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 4.6 ns

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