半导体晶体管STF14NM50N STI14NM50N STP14NM50N n沟道500 V， 0.28Ωtyp。，12 MDmesh?II功率mosfet - 220《外交政策》，我2PAK - 220包数据表-生产数据
图1所示。内部原理图特性?100%雪崩测试?低输入电容和栅电荷?低栅输入电阻
?切换应用描述半导体晶体管STF14NM50N
这些器件是使用第二代MDmesh?技术开发的n通道功率MOSFET。这种革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局相结合，从而产生世界上最低的导通电阻和门电荷之一
绝对最大额定参数符号参数价值单位我2PAK - 220 - 220《外交政策》VDS漏源电压500 V VGS栅源电压±25v ID漏电流(连续)TC = 25°C 12 12 (1)
1. 受最大结温的限制半导体晶体管STF14NM50N
A ID漏电流(连续)在TC = 100°C 8 8 (1) A IDM (2)
2. 脉冲宽度受安全操作区域限制半导体晶体管STF14NM50N
漏电流(脉冲)4848 (1)A
总耗散在TC = 25°C 90 25 W dv/dt (3)
3.ISD≤12a， di/dt≤400a /s，VDS峰值≤V(BR)DSS， VDD = 80%_V(BR)DSS
峰值二极管恢复电压斜率为15v /nsVISO3条引线至外部散热器的绝缘耐压(RMS) (t = 1 s;TC = 25℃)2500 V
储存温度- 55至150°C Tj Max。工作结温150℃表3。热数据符号参数价值单位- 220 - fp我2PAK - 220
符号参数试验条件最小。Max。单位ISD ISDM (1)
1. 脉冲宽度受安全操作区域限制。
源漏电流源漏电流(脉冲)12 48一个一个房间隔缺损(2)
2. 脉冲，脉冲持续时间= 300μs，占空比1.5%_
正向电压ISD = 12a， VGS = 0 - 1.6 Vtrr Qrr IRRM
反向恢复时间反向恢复充电反向恢复电流
ISD = 12， di / dt = 100 /μs， VDD = 60 V(见图20)252 2.8 22nsμC一
trr Qrr IRRM反向恢复时间反向恢复充电反向恢复电流
ISD = 12， di / dt = 100 /μs， VDD = 60 V， TJ = 150°C(见图20)300年3.3 - 22.2nsμC一
