射频(RF)双极晶体管:AT-41533-TR2G

发布企业:深圳市金嘉锐电子有限公司时间:2023-9-23 11:07:00

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射频(RF)双极晶体管 Transistor Si
AT-41533-TR2G

制造商: Broadcom Limited

产品种类: 射频(RF)双极晶体管

RoHS: 环保

晶体管类型: Bipolar

技术: Si

晶体管极性: NPN

工作频率: 10 GHz

直流集电极/Base Gain hfe Min: 30

集电极—发射极最大电压 VCEO: 12 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 1.5 V

集电极连续电流: 50 mA

配置: Single

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23

商标: Broadcom / Avago

集电极—基极电压 VCBO: 20 V

直流电流增益 hFE 最大值: 270

增益带宽产品fT: 8 GHz

高度: 1.2 mm

长度: 3.13 mm

最大直流电集电极电流: 50 mA

Pd-功率耗散: 225 mW

产品类型: RF Bipolar Transistors

包装数量:10000

子类别: Transistors

类型: RF Bipolar Small Signal

宽度: 1.5 mm

单位重量: 8 mg

公司优势供应:AT-41532-TR2G

AT-64000-GP4

AT-32063-TR2G

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2025-8-10 10:16:00
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