发布企业：深圳和润天下电子科技有限公司时间：2023-8-11 10:58:00
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 110 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 97.3 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
单位重量: 2 g
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HEXFET Power MOSFET | IRF International Rectifier |   | ||
Advanced Process Technology | IRF International Rectifier | | ||
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A?? | IRF International Rectifier | | ||
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A?? | IRF International Rectifier | | ||
N-Channel Power MOSFET | NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司 | | ||
isc N-Channel Mosfet Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | ||
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | | ||
N-Channel Trench Process Power MOSFET Transistor | THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体上海思祁半导体有限公司 | | ||
HEXFET Power MOSFET | ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED. | | ||
SEMICONDUCTORS | ETC2List of Unclassifed Manufacturers ETC未分类制造商 | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF3205PBF | Infineon(英飞凌) | 25+ | TO-220(TO-220-3) | 7589 | 全新原装现货,支持排单订货,可含税开票 | ||
IRF3205PBF | IR | 23+ | TO-220 | 12000 | 全新原装假一赔十 | ||
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IRF3205PBF | IR | 18+ | TO-220 | 6375 | 全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 | ||
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IRF3205PBF | IR | 23+ | TO-220 | 65480 |
