静态随机存取存储器： IS61C1024AL-12HLI

时间：2023-8-7 9:00:00

静态随机存取存储器 1M (128Kx8) 12ns 5V Async 静态随机存取存储器

制造商: ISSI

产品种类: 静态随机存取存储器

RoHS: 环保

存储容量: 1 Mbit

组织: 128 k x 8

访问时间: 12 ns

最大时钟频率: -

接口类型: Parallel

电源电压-最大: 5.5 V

电源电压-最小: 4.5 V

电源电流—最大值: 40 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: sTSOP-32

商标: ISSI

存储类型: SDR

湿度敏感性: Yes

端口数量: 1

产品类型: SRAM

系列: IS61C1024AL

包装数量：234

子类别: Memory & Data Storage

类型: Asynchronous

单位重量: 260 mg

型号查询	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
IS61C1024AL-12HI	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61C1024AL-12HI	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61C1024AL-12HLI	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61C1024AL-12J	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61C1024AL-12JI	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61C1024AL-12JLI	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61C1024AL-12JLI	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61C1024AL-12JLI-TR	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司	ISSI
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IS61C1024AL-12KI	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司	ISSI

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2025-11-17 17:34:00