DI110N04PQ-AQ 符合 AECQ101 标准的 N 沟道功率 MOSFET 采用紧凑的 5 mm x 6 mm 功率 QFN 封装。在标称电流为 110 A 和 40 V 时，它具有低通态电阻 (R DS(ON) )、快速开关时间和极低的热阻。逻辑电平阈值电压提供灵活的栅极驱动。它还与 µController 兼容，同时其极低的栅极电荷和输出电荷降低了开关功率损耗并提高了整体效率。其工作结温范围为 -55°C 至 +175°C。DI110N04PQ-AQ 非常适合各种应用，包括 DC/DC 转换器、同步整流器、电动工具、BLDC 驱动器等。
特征
薄型、节省空间的封装
逻辑电平栅极驱动
雪崩评级
100%_雪崩测试
活动部件
最大限度。结温 +175°C
规格
漏源电压（V DSS）：40 V
连续漏极电流 (I D )：100 A
R DS(ON)：最大 2.5 mΩ
漏源漏电流 (I DSS )：1 µA
连续栅源电压（V GSS）：±20 V
功耗（P总）：55.5 W
峰值漏极电流 (I DM )：450 A
单脉冲雪崩能量（E AS）：123.5 mJ
热阻（R thC）：<2.7 K/W
工作结温范围 (T j )：-55°C 至 +175°C
5 mm x 6 mm 电源 QFN 封装
应用领域
直流/直流转换器
电源
直流驱动器
电动工具
同步整流器
电池充电器
