动态随机存取存储器 IS42S16160D-6TL

发布企业：深圳市金嘉锐电子有限公司时间：2023-7-27 9:00:00

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动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

制造商: ISSI

产品种类: 动态随机存取存储器

RoHS: 环保

类型: SDRAM

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSOP-54

数据总线宽度: 16 bit

组织: 16 M x 16

存储容量: 256 Mbit

最大时钟频率: 166 MHz

访问时间: 6 ns

电源电压-最大: 3.6 V

电源电压-最小: 3 V

电源电流—最大值: 180 mA

最小工作温度: 0 C

最大工作温度: + 70 C

系列: IS42S16160D-6

商标: ISSI

高度: 1 mm

长度: 22.22 mm

湿度敏感性: Yes

产品类型: DRAM

包装数量：108

子类别: Memory & Data Storage

宽度: 10.16 mm

型号查询	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
IS42S16160D-6B	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM	ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS42S16160D-6BI	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM	ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS42S16160D-6BL	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM	ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS42S16160D-6BLI	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM	ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS42S16160D-6T	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM	ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS42S16160D-6TI	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM	ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS42S16160D-6TL	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM	ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS42S16160D-6TLI	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM	ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司	ISSI

IS42S16160D-6B现货更多...

2025-10-2 13:31:00

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