动态随机存取存储器 IS43R86400D-5TLI

时间:2023-7-12 9:55:00

动态随机存取存储器 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT

IS43R86400D-5TLI 是一种动态随机存取存储器(DRAM),以下是该产品的一些基本功能和特性:

1. 容量和布局:IS43R86400D-5TLI具有64兆(即64M)的存储容量,分布在8,388,608个单元中。

2. 数据速率:IS43R86400D-5TLI支持工作在5ns的数据速率,即每秒可以传输数据的次数。

3. 数据位宽:IS43R86400D-5TLI具有8位的数据位宽,即每次读取或写入操作可传输8个数据位。

4. 供电电压:IS43R86400D-5TLI的供电电压为3.3V,适用于标准的DRAM电源要求。

5. 存储器结构:IS43R86400D-5TLI采用x8的存储器结构,即每个存储单元可以存储8位数据。

6. 封装:IS43R86400D-5TLI通常采用48引脚的TSOP封装形式,方便进行焊接和PCB布局。

制造商: ISSI

产品种类: 动态随机存取存储器

RoHS: 环保

类型: SDRAM - DDR

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSOP-66

数据总线宽度: 8 bit

组织: 64 M x 8

存储容量: 512 Mbit

最大时钟频率: 200 MHz

访问时间: 5 ns

电源电压-最大: 2.7 V

电源电压-最小: 2.5 V

电源电流—最大值: 430 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

系列: IS43R86400D

商标: ISSI

湿度敏感性: Yes

产品类型: DRAM

包装数量:108

子类别: Memory & Data Storage

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

16Mx32, 32Mx16, 64Mx8 512Mb DDR SDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc

矽成半导体北京矽成半导体有限公司

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