BSC196N10NSGATMA1是一款N沟道MOSFET晶体管，具有以下主要特性：
1. 高电流承受能力：BSC196N10NSGATMA1的最大漏极电流可达196A，适用于高电流负载的应用场合。
2. 低导通电阻：该MOSFET晶体管的导通电阻很低，可以减少功率损耗，提高转换效率。
3. 低开启电阻：BSC196N10NSGATMA1的开启电阻很低，可以提高开关速度，减少开关功率损耗。
4. 高速开关：该晶体管具有快速开关特性，可以实现高频率开关。
5. 低漏电流：该晶体管的漏电流很低，可以减少电路的静态功耗。
6. 低热阻：BSC196N10NSGATMA1的热阻很低，可以提高芯片的散热性能，降低芯片温度。
7. RoHS兼容：该晶体管符合RoHS指令的要求，环保性能好。
总之，BSC196N10NSGATMA1是一款高电流承受能力、低导通电阻、高速开关的N沟道MOSFET晶体管，适用于需要高电流、高频率开关的应用场合，如电源管理、电机驱动、照明控制等领域。
型号： BSC196N10NSGATMA1
品牌： Infineon(英飞凌)
封装： DFN-8
描述：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：45A；8.5A 功率(Pd)：78W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：19.6mΩ@45A,10V
