TLV2354IDR是一款低功耗、超低噪声、铁电偏置运算放大器，具有以下主要特性：
1. 低功耗：TLV2354IDR采用超低功耗设计，在工作时消耗的电流非常低，适用于对电池寿命和功耗要求严格的应用。
2. 超低噪声：该运算放大器具有极低的噪声特性，可以提供高品质的信号放大和处理，适用于对噪声敏感的应用，如音频、传感器接口等。
3. 铁电偏置输入：TLV2354IDR采用铁电偏置输入电路，具有稳定的偏置电压和高输入阻抗，可以提供更精确和稳定的信号放大。
4. 广泛的供电电压范围：该器件支持供电电压范围广泛，通常为2.7V至6V，能够适应不同的电源要求。
5. 低失调电流和输入偏置电流：TLV2354IDR具有低失调电流和输入偏置电流，能够保持信号放大的精确性和稳定性。
6. 强大的电磁干扰抑制能力：该器件具有较强的电磁干扰抑制能力，能够有效防止外部干扰对信号放大的影响。
7. 封装和引脚布局：TLV2354IDR采用16引脚的SOIC封装，引脚布局合理，便于焊接和PCB布局。
总之，TLV2354IDR是一款优秀的运算放大器，具有低功耗、超低噪声、铁电偏置等特性，适用于各种对电源要求严格、对噪声敏感的应用场合，如便携式设备、音频放大、传感器放大等。
制造商
Texas Instruments
系列
LinCMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
类型
差分
元件数
4
输出类型
CMOS，MOS，开路漏极，TTL
电压 - 供电，单/双 (±)
2V ~ 8V
电压 - 输入补偿（最大值）
5mV @ 5V
电流 - 输入偏置（最大值）
5pA @ 5V
电流 - 输出（典型值）
20mA
电流 - 静态（最大值）
800µA
CMRR，PSRR（典型值）
-
传播延迟（最大值）
-
滞后
-
工作温度
-40°C ~ 85°C
封装/外壳
14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
安装类型
表面贴装型
