发布企业：深圳诚思涵科技有限公司时间：2023-4-4 16:21:00
企业：深圳诚思涵科技有限公司
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地址：深圳市福田区华强北街道上步路上步工业区101栋五层518室
制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极最大电压: - 20 V, + 20 V
在25 C的连续集电极电流: 240 A
Pd-功率耗散: 882 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: FGY160T65S_F085
资格: AEC-Q101
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
30
子类别: IGBTs
零件号别名: FGY160T65SPD_F085
单位重量: 6.100 g
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IGBT - Field Stop, Trench, Soft Fast Recovery Diode 650 V, 160 A | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体 |   |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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