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FGY160T65SPD-F085

IGBT - Field Stop, Trench, Soft Fast Recovery Diode 650 V, 160 A

Benefits • Very Low Conduction and Switching Losses for a High Efficiency Operation in Various Applications • Rugged Transient Reliability • Outstanding Parallel Operation Performance with Balance Current Sharing • Low EMI Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • Very Low Saturat

ONSEMI

安森美半导体

FGY160T65SPD-F085

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:650V FS GEN3 TRENCH IGBT 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-15 20:38:00
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