SI2302CDS-T1-BE3

发布企业:深圳市科雨电子有限公司时间:2023-3-3 17:21:00

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SI2302CDS-T1-BE3

SI2302CDS-T1-BE3

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 2.9 A

Rds On-漏源导通电阻: 57 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 850 mV

Qg-栅极电荷: 3.5 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 860 mW

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Vishay / Siliconix

配置: Single

下降时间: 7 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 7 ns

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 30 ns

典型接通延迟时间: 8 ns

零件号别名: SI2302CDS-T1-GE3

单位重量: 8 mg

2025-8-13 23:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SI2302CDS-T1-BE3
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