LM339L-DIP14T-TG_UTC代理商导读
由内部高压启动开关通过功率管Drain 提供起始电流对VCC 电容充电，当VCC 电压达到工作点（VCCon）20V 时，IC 开始工作，再由变压器辅助绕组线路对VCC 电容进行充电。
U74HC165是一个8位并行负载移位寄存器，具备互补串行输出的功能，且可直接覆盖负载数据输入和门控时钟输入，并可实现并行到串行的数据转换。
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MMBTH10G-SOT23.3R-A-TG
MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好；制造工艺简单、辐射强，因而通常被用于放大电路或开关电路；。
（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron *_Qg等。（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。
功率半导体器件又可根据对电路信号的控程度分为全型 、半控型及不可；或按驱动电路信号 性质分为电压驱动型 、电流驱动型等划分类别 电流驱动型等划分类别 电流驱动型等划分类别 。
为了避免上述误动作发生，推荐VCC 电容尽量不要采用过低值，VCC电容值越大，待机功耗越低。客户不必担心VCC 电容偏高导致系统启动时间过长问题，因为IC 本身含有高压启动开关，具有大电流恒流充电特性。。
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建议VCC 脚位旁边并联一个高频滤波电容（例如100nF MLCC），增加IC 工作稳定性，避免高频干扰。
U74LVC2G07G-SOT363R-TG 10N80L-TO220F1T-TGCQ 2SA1020G-SOT89R-Y-TG MBR10200CL-TO220T-TG UPC817BG-SMD4R-TG 。
U74LVC1G86G-SOT23.5R-TG 78L09MG-SOT89R-TG U74HC595AG-SOP16R-TG UPC817CG-LSOP4R-TG UT2305G-SC59.3R-TZ0G 。
在开关电源中，如漏极开路电路，漏极原封不动地接负载，叫开路漏极，开路漏极电路中不管负载接多高的电压，都能够接通和关断负载电流。是理想的模拟开关器件。这就是MOS管做开关器件的原理（详细请关注作者其他MOS详解）。
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软启动Phase 结束后，若Vout 未达到输出设定值Vo，则IC 以大占空比继续上电直至上电完毕，VFB 降低进入正常环路调节电压范围1.35~4.2V；软启动Phase 期间，若Vout 达到输出设定值Vo，则VFB 降低进入正常环路调节电压范围1.35~4.2V，环路PWM 由VFB 控制直至上电完毕，；。
UCS165XS 系列有开路保护功能，内部电路可以检测FB 脚位电压，当FB 脚位电压高于开路保护电压阈值4.2V 并持续设定的时间后，关断驱动管停止系统动作，直到VCC 下电后再重新启动才能恢复动作。
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