78L15G-SOT89R-TG_UTC代理商导读
UCS165XS 有非常低的启动电流（<5uA）和较低的起始电压，并且内含高压启动开关，与常规PWM IC 相比，可大限度地减少外部电路之启动功耗损失，同时又能保障启动速度最快，对VCC 脚位电容值的上限限制极低。
启动电容建议选用电解电容（供电）和SMD 陶瓷电容（高频滤波）并联配套使用，启动电容可选2.2~10uF 的电容，SMD 陶瓷选用100nF。
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UTT30N10G-TO252R-TG
待机时辅助线圈对VCC 电容充电电流较小，IC 静态功耗没有太大变化，因此导致待机进入burst mode 后，VCC 电容电压会在OFF time 中容易触碰VCCMIN，发生VCC自动重启误动作。
功率半导体器件又可根据对电路信号的控程度分为全型 、半控型及不可；或按驱动电路信号 性质分为电压驱动型 、电流驱动型等划分类别 电流驱动型等划分类别 电流驱动型等划分类别 。
（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron *_Qg等。（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。
不同功率半导体器件 ，其承受电压 、电流容量 、阻抗能力 、体积大小等特性也会不同 ，实际使用中 ， 需要根据不同领域 、不同需求来选用合适的器件。
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LD1117AG-SOT223R-50-ATZ4GQ BC807G-SOT23.3R-25-TG 1N4148L-SOD123R-TG MC34063AG-SOP8R-1TG CD4069G-SOP14R-TG 。
建议VCC 脚位旁边并联一个高频滤波电容（例如100nF MLCC），增加IC 工作稳定性，避免高频干扰。
在开关电源中，如漏极开路电路，漏极原封不动地接负载，叫开路漏极，开路漏极电路中不管负载接多高的电压，都能够接通和关断负载电流。是理想的模拟开关器件。这就是MOS管做开关器件的原理（详细请关注作者其他MOS详解）。
LR1142G-SC59.5R-AD-ATG TL431NSG-SC59.3R-ATG LR2125G-SC59.5R-AD-TG UT3N01ZG-SOT323R-TG LD1117AG-TO252R-18-ATG 。
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。輕載：FB 调整芯片工作在Green mode 里，并調整Tsw 和CS 值。
软启动Phase 结束后，若Vout 未达到输出设定值Vo，则IC 以大占空比继续上电直至上电完毕，VFB 降低进入正常环路调节电压范围1.35~4.2V；软启动Phase 期间，若Vout 达到输出设定值Vo，则VFB 降低进入正常环路调节电压范围1.35~4.2V，环路PWM 由VFB 控制直至上电完毕，；。
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