4N60L-TO220F3T-TGE_UTC代理商导读
启动电容建议选用电解电容（供电）和SMD 陶瓷电容（高频滤波）并联配套使用，启动电容可选2.2~10uF 的电容，SMD 陶瓷选用100nF。
为保护功率MOSFET 不受损坏，IC 在VCC 脚位增加过电压保护功能。当VCC 电压高于26V 时，gate 信号立即停止ON/OFF，功率管关闭。
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UT6401L-SC59.6R-TG
为了避免上述误动作发生，推荐VCC 电容尽量不要采用过低值，VCC电容值越大，待机功耗越低。客户不必担心VCC 电容偏高导致系统启动时间过长问题，因为IC 本身含有高压启动开关，具有大电流恒流充电特性。。
75185G SSOP-20 T/R.TL431K-2 TO-92.ZD5.1G SOD-123 T/R.UT4421G SOP-8 T/R.2SC1815L-BL-A TO-92 T/B.6N65L-P TO-251S.M54123LG-A SOP-8 T/R.U74AHC14G TSSOP-14 T/R.2SC5353BL TO-126C .4051G SOP-16 T/R 。
U74LVC1G07G-SOT353R-TG U74LVC1G08G-SOT353R-TG PUMX1G-SOT363R-TG TL431G-SOT23.3R-ATG U74LV1T08G-SOT353R-TG MMBT4401G-SOT23.3R-TG MMBT5551G-SOT23.3R-B-TG 2N7002KG-SOT23.3R-TG TL431G-SC59.3R-ATG 。
（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron *_Qg等。
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UCS165XS 是一款最新的PWM IC，利用混合操作模式（PWM/PFM/Burst）达到高效率，满足六级能效标准。。其具有高压启动功能，方便客户满足待机效率的六级能效设计。
UPC817BG-DIP4T-TG\ULN2803G-SOP18R-TW2G\TL431K-TO92B-1TSG\UK2751G-SOT723R-TG\K1109G-SOT23.3R-J35-CTG。
MMBTA42L-SOT23.3R-TG MPSA44L-SOT89R-TG 1N60AL-TO92B-B-TG UR7250G-SC59.3R-TG LD2985G-SC59.5R-50-TG 。
BSS138G-SOT23.3R-TG\2SD669AG-SOT89R-C-TG\UP3855G-SOT223R-TG\U74LVC1G3157G-SOT363R-TG\DTC143TL-SOT323R-TG\TL431NSG-SOT23.3R-ATG\TL431G-SC59.3R-1TG\U74LVC1G17G-SOT353R-TG\TL431G-SOT23.3R-ATTG\UTN2010ZG-SOT89R-TG\7N50G-TO252R-TGTC\DTA114EG-SOT323R-TG\U74AHC1G08G-SC59.5R-TG。
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并以最小频率工作。待机：FB 调整芯片工作在Burst mode 里，并控制CS 值。
UCS165XS 的CS 脚位是用来检测流过变压器初级侧也就是MOSFET 源极的电流，当输出发生过电流的情况时，CS 脚位检测Sense 电阻Rcs 的电压达到设定值，会立即关闭功率管，对电路进行保护，若是输出短路或者开关机时，检测到GATE 脉宽大于7.7uS，CS 检测电压达到1V 时，会关闭功率管，若GATE 脉宽小于7.7uS 时，CS 检测电压阈值自动按照GATE 脉宽等比例修正缩小，零GATE 脉宽对应的CS 检测电压阈值为0.72V，避免高压输入输出短路时功率管源漏压差Vds 过高。
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