时间：2019-6-18 11:40:00
类别 集成电路（IC）
产品族 存储器
系列 StrataFlash??
规格
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 FLASH - NOR
存储容量 256Mb （16M x 16）
存储器接口 并联
时钟频率 40MHz
写周期时间 - 字，页 110ns
访问时间 110ns
电压 - 电源 1.7V ~ 2V
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
深圳市天芯半导体科技有限公司 0755-82725660 18128853661（微信75056055） QQ：177691499
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 |   | ||
Intel StrataFlash Embedded Memory | IntelIntel Corporation 英特尔 | | ||
Numonyx StrataFlash Embedded Memory | NUMONYX numonyx | | ||
Numonyx StrataFlash Embedded Memory | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | | ||
256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | | ||
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | | ||
256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | | ||
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | | ||
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | | ||
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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